7月19日音问，据韩媒TheElec报说念，与的3nm制程比拟，来岁行将量产三星2nm制程将会多出30%的极紫外（EUV）光刻层。

三星于2018 岁首次运行在其 7nm 逻辑制程工艺节点上运行期骗 EUV，从其时起，跟着移动到5nm，再到3nm，三星在芯片坐褥历程中的EUV光刻层的数目或EUV工艺措施的数目也在捏续增长。

报说念征引音问东说念主士的话示意，三星的2nm制程照旧加多到了 20 层的EUV光刻层。而三星的1.4nm则预测将有30多个EUV光刻层。

与此同期，三星也将EUV期骗于其DRAM坐褥。三星为其第 6 代 10nm DRAM 期骗了多达 7 个 EUV 层，而 SK 海力士则期骗了 5 个EUV光刻层。跟着越来越多的芯片制造商扩大其EUV工艺措施，光刻胶、空缺掩模和薄膜等干系行业也有望增长。

凭据三星此前公布的工艺门道图暴露，2nm SF2制程2025年推出，小程序开发价格较第二代3GAP 3nm制程，同样运谋划频率和复杂度情况下课缩短25%功耗，同样功耗和复杂度情况下课提升12%谋划性能，减少5%芯单方面积。

接下来的2nm SF2Z 制程秉承了优化的后面供电相聚 (BSPDN) 时期，该时期将电源轨置于晶圆后面，以摒除电源线和信号线之间的瓶颈。与第一代 2nm 节点 SF2 比拟，将 BSPDN 时期期骗于 SF2Z 不仅不错提升功率、性能和面积 (PPA)，还不错显赫缩短电压降 (IR 降)，从而提升 HPC 贪图的性能。SF2Z 预测将于 2027 年拆伙量产。

三星还公布了其他 2nm 工艺的发布日历。用于出动限度的 SF2 和 SF2P 将永诀于 2025 年和 2026 年推出。针对东说念主工智能和高性能谋划的 2nm 工艺将于 2026 年推出，早于 BSPDN 工艺。该公司还将于 2027 年推出用于汽车的 SF2A 工艺。

剪辑：芯智讯-浪客剑

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