发明 DRAM 的电气和计较机工程前驱丹纳德（Robert Heath Dennard） 于 2024 年 4 月 23 日死字。这项发明匡助使数十亿部智高东谈主机、计较机和其他铺张电子家具成为可能。他还将因基于摩尔定律的 丹纳德缩放表面而被东谈主们谨记。
丹纳德于 1932 年 9 月 5 日降生于德克萨斯州特雷尔。他在一个莫得电的农场长大，在一个唯唯一间教室的校舍里上学。他看成圆号演奏家的资质为他赢得了南卫理公会大学（SMU）的奖学金，在那儿他学习了新兴的电气工程限制。从SMU毕业后，丹纳德不时深造，在卡内基理工学院（现称为卡内基梅隆大学）攻读电气工程博士学位。他于 1958 年获取博士学位，并开动担任 IBM 量度员。他将在那儿渡过他漫长而据说的办事糊口。
那时的集成电路是一个新兴的而且令东谈主雀跃的技巧，刚刚由德州仪器的工程师杰克·基尔比发明。该量度限制和工业界的主要柔和点是股东计较机存储器和逻辑，促使丹纳德深刻量度金属氧化物半导体场效应晶体管 （MOSFET） 的打算和诈欺。
由于对那时现存的磁芯RAM的尺寸和功率条件感到黯然，丹纳德和微电子大家团队于1964年开辟了一种替代系统，该系统只需要六个MOS晶体管即可存储一位信息。他们以为，即使是这么的打算也太复杂平和慢了。随后，丹纳德的脑海中灵光乍现，这将透彻蜕变计较技巧。他开动量度如安在一个晶体管而不是六个晶体管中存储信息。这种瞻念察力、走访和实际最终导致了动态飞速存取存储器 (DRAM) 的发明。
丹纳德并莫得留步于DRAM。1972 年，小程序开发资讯丹纳德建议了一个表面，该表面匡助计较机和其他电子竖立每年变得更小、更快、更高效。这个表面被称为丹纳德缩放比例，或丹纳德定律，源于摩尔定律。
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尔定律指出，好像安设在给定空间中的晶体管数目草率每两年翻一番。阐发 丹纳德定律，每瓦的性能以大致疏导的速率增多。因此，跟着晶体管尺寸的减弱，它们需要的功率也更少。
在他半个世纪的办事糊口中，丹纳德获取了很多奖项和招供。他于 1979 年被晓谕为 IBM 量度员，并于 1988 年获取罗纳德·里根总统颁发的好意思国国度技巧奖章。1997 年，丹纳德入选好意思国国度发明家名东谈主堂，并于 2009 年被授予 IEEE 荣誉勋章。
这位发明家最近被授予半导体行业的最高荣誉。2019 年，半导体行业协会授予 Dennard Robert N. Noyce 奖。